當影響電磁屏蔽機房屏蔽數(shù)據(jù)作用的因素頻率較高時,吸收丟失是首要的屏蔽機理,與輻射源是電場仍是磁場關(guān)系不大。當頻率較低時,吸收損耗很小,反射損耗是屏蔽效率的首要機理,應(yīng)盡量提高反射損耗。
電場波較易屏蔽,平面波次之,磁場波較難屏蔽,尤其是低頻磁場(1KHz以下),較難屏蔽。關(guān)于低頻磁場,應(yīng)采用高導(dǎo)磁率數(shù)據(jù)進行屏蔽。有幾個條件會影響屏蔽數(shù)據(jù)的作用,甚至高導(dǎo)電性數(shù)據(jù)和高導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)的結(jié)合。
導(dǎo)電性和導(dǎo)磁性數(shù)據(jù)越好,屏蔽效率越高,但金屬數(shù)據(jù)在實際應(yīng)用中不能考慮這兩個方面,例如銅的導(dǎo)電性很好,但導(dǎo)磁性很差;鐵的導(dǎo)磁性好,但導(dǎo)電性差。在具體屏蔽的基礎(chǔ)上,應(yīng)該運用什么信息,首要取決于反射丟失仍是吸收丟失來決定是側(cè)重于導(dǎo)電性仍是導(dǎo)磁性。
反射損耗與屏蔽層與輻射源之間的距離有關(guān)。關(guān)于電場輻射源,距離越近,反射損耗越大;關(guān)于磁輻射源,距離越近,反射損耗越小。正確區(qū)分輻射源的性質(zhì),確定輻射源應(yīng)接近屏蔽層是結(jié)構(gòu)設(shè)計的重要內(nèi)容,屏蔽層仍是屏蔽層的主體。